Дискретные полупроводниковые продукты
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
TK100S04N1L
Toshiba
-
BSF030NE2LQ
Infineon Technologie..
-
PSMN4R0-60YS
Nexperia
-
BUK9Y22-100E
Nexperia
-
BSC057N03LS G
Infineon Technologie..
-
SQJ469EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
-
BSS214N H6327
Infineon Technologie..
-
BUK9Y38-100E
Nexperia
-
IPW65R150CFDA
Infineon Technologie..
-
IPD110N12N3 G
Infineon Technologie..
-
BSC050N10NS5
Infineon Technologie..
-
IPB65R110CFD
Infineon Technologie..
-
SPD02N80C3
Infineon Technologie..
-
BUK9Y19-100E
Nexperia
-
XP162A12A6PR
Torex Semiconductor
-
IPD90N06S4-05
Infineon Technologie..
-
SSM6J501NU
Toshiba
-
2SK3568
Toshiba
-
SI4850EY
Vishay / Siliconix
-
BSC034N10LS5
Infineon Technologie..