Дискретные полупроводниковые продукты
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
IRLML0060
Infineon Technologie..
-
IPP040N06N
Infineon Technologie..
-
BSD235C
Infineon Technologie..
-
IRF100P218
Infineon Technologie..
-
IMBF170R1K0M1
Infineon Technologie..
-
PSMN1R4-40YLD
Nexperia
-
NX3008CBKS
Nexperia
-
IPA80R1K0CE
Infineon Technologie..
-
BSH108
Nexperia
-
UPA1901TE-T1-A
Renesas Electronics
-
SSM6L820R
Toshiba
-
IPA60R099P7
Infineon Technologie..
-
FQT2P25
onsemi / Fairchild
-
IPB020N10N5LF
Infineon Technologie..
-
BUK7Y3R5-40H
Nexperia
-
2SJ168
Toshiba
-
IPD65R190C7
Infineon Technologie..
-
PXN6R7-30QL
Nexperia
-
IPB160N04S2-03
Infineon Technologie..
-
IRF5N5210SCV
Infineon / IR