Дискретные полупроводниковые продукты
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
IPD042P03L3 G
Infineon Technologie..
-
IPA60R199CP
Infineon Technologie..
-
PSMN1R2-25YL
Nexperia
-
2N7002PS
Nexperia
-
BSC046N10NS3 G
Infineon Technologie..
-
IRFB3077
Infineon / IR
-
BUK9K6R2-40E
Nexperia
-
IPL65R165CFD
Infineon Technologie..
-
BUK9Y12-40E
Nexperia
-
SSM3K15AMFV
Toshiba
-
IPP034NE7N3 G
Infineon Technologie..
-
IMW120R045M1
Infineon Technologie..
-
IAUC100N08S5N031
Infineon Technologie..
-
BSZ300N15NS5
Infineon Technologie..
-
NX3020NAKS
Nexperia
-
SST211
Vishay / Siliconix
-
BUK9Y40-55B
Nexperia
-
PSMN8R5-60YS
Nexperia
-
BUK6D43-40P
Nexperia
-
BUK9675-100A
Nexperia