Дискретные полупроводниковые продукты
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
SI4848DY
Vishay / Siliconix
-
BSC190N12NS3 G
Infineon Technologie..
-
LBSS138LT1G
onsemi
-
TK31N60W
Toshiba
-
IPD70R900P7S
Infineon / IR
-
IMZ120R060M1H
Infineon Technologie..
-
SQD40P10-40L-GE3
Vishay / Siliconix
-
IPB80N04S4-04
Infineon Technologie..
-
SSM3K333R
Toshiba
-
PSMN2R4-30YLD
Nexperia
-
IRF150P221
Infineon Technologie..
-
IRF5M5210
Infineon / IR
-
BLF642
Ampleon
-
BLF147
Ampleon
-
BCR116
Infineon Technologie..
-
BCR 10PN H6327
Infineon Technologie..
-
2SAR574DGTL
ROHM Semiconductor
-
BFR360L3
onsemi / Fairchild
-
BF821
Nexperia
-
2SA812-T1B-A
Renesas Electronics