Дискретные полупроводниковые продукты
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
BUK7K6R8-40E
Nexperia
-
IPW60R180P7
Infineon Technologie..
-
IPD50R280CE
Infineon Technologie..
-
IPD90N04S4-03
Infineon Technologie..
-
NX2301P
Nexperia
-
IPD320N20N3 G
Infineon Technologie..
-
PSMN035-150B
Nexperia
-
BSZ100N03MS G
Infineon Technologie..
-
PSMN040-100MSE
Nexperia
-
BSC252N10NSF G
Infineon Technologie..
-
IPP60R165CP
Infineon Technologie..
-
IPD60R650CE
Infineon Technologie..
-
IPG20N06S2L-65
Infineon Technologie..
-
BSC010N04LSI
Infineon Technologie..
-
IPD640N06L G
Infineon Technologie..
-
BSZ025N04LS
Infineon Technologie..
-
SPW55N80C3
Infineon Technologie..
-
BSC160N10NS3 G
Infineon Technologie..
-
QS8M11ATCR
ROHM Semiconductor
-
BSC016N04LS G
Infineon Technologie..