Дискретные полупроводниковые продукты
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
IPW90R120C3
Infineon Technologie..
-
SPA17N80C3
Infineon Technologie..
-
L2N7002DW1T1G
onsemi
-
TK49N65W5
Toshiba
-
PSMN2R0-30YLE
Nexperia
-
IRLML9301
Infineon Technologie..
-
IPP60R160P7
Infineon Technologie..
-
BSG0810NDI
Infineon Technologie..
-
2SK3565
Toshiba
-
BSC027N10NS5
Infineon Technologie..
-
BSH203
Nexperia
-
IPZ40N04S5L-4R8
Infineon Technologie..
-
IPP60R099CP
Infineon Technologie..
-
IPP65R190CFD
Infineon Technologie..
-
BSC066N06NS
Infineon Technologie..
-
BSC012N06NS
Infineon Technologie..
-
PMDPB30XN
Nexperia
-
SPD06N60C3
Infineon Technologie..
-
IRF2807
Infineon / IR
-
IAUC80N04S6L032
Infineon Technologie..