Дискретные полупроводниковые продукты
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
IST007N04NM6
Infineon Technologie..
-
BSZ520N15NS3 G
Infineon Technologie..
-
BSS209PW H6327
Infineon Technologie..
-
TK100E10N1
Toshiba
-
IPB60R160P6
Infineon Technologie..
-
IPB044N15N5
Infineon Technologie..
-
SI2302
Micro Commercial Com..
-
BSZ160N10NS3 G
Infineon Technologie..
-
IPD60R400CE
Infineon Technologie..
-
2N7002BKV
Nexperia
-
BSC060N10NS3 G
Infineon Technologie..
-
NX3008PBKS
Nexperia
-
IPB020N08N5
Infineon Technologie..
-
BSL215C
Infineon Technologie..
-
IPD65R650CE
Infineon Technologie..
-
IPB120P04P4-04
Infineon Technologie..
-
IPB120N04S4-02
Infineon Technologie..
-
IRF1404
Infineon / IR
-
BSC020N03LS G
Infineon Technologie..
-
IPP60R070CFD7
Infineon Technologie..