Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
DF80R07W1H5FPB11B..
Infineon Technologie..
-
APTGL90DA120T1G
Microchip Technology
-
FS30R06XE3BOMA1
Infineon Technologie..
-
FS10R12YE3BOMA1
Infineon Technologie..
-
APTGT20H60T1G
Microchip Technology
-
APT100GT120JR
Microchip Technology
-
FS20R06XE3BOMA1
Infineon Technologie..
-
FP15R12W2T4BOMA1
Infineon Technologie..
-
APT50GF120JRD
Microchip Technology
-
APTGT100DA60T1G
Microchip Technology
-
A1P50S65M2-F
STMicroelectronics
-
IXXN200N60C3H1
IXYS
-
APT200GT60JR
Microchip Technology
-
APTGT75DA60T1G
Microchip Technology
-
F450R07W1H3B11ABO..
Infineon Technologie..
-
A1P25S12M3
STMicroelectronics
-
FS15R06XE3BOMA1
Infineon Technologie..
-
F3L50R06W1E3B11BO..
Infineon Technologie..
-
IXGN82N120C3H1
IXYS
-
FP30R06W1E3PBPSA1
Infineon Technologie..