Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
NXH25C120L2C2SG
onsemi
-
MDI75-12A3
IXYS
-
APTGLQ100DA120T1G
Microchip Technology
-
IXBN75N170A
IXYS
-
NXH75M65L4Q1SG
onsemi
-
APTGT30TL601G
Microchip Technology
-
APTGTQ100SK65T1G
Microchip Technology
-
APTGTQ100DA65T1G
Microchip Technology
-
NXH50M65L4Q1SG
onsemi
-
FP50R06W2E3B11BOM..
Infineon Technologie..
-
APTGT30H60T1G
Microchip Technology
-
APT100GN120JDQ4
Microchip Technology
-
APTGT150SK60T1G
Microchip Technology
-
APTGT150DA60T1G
Microchip Technology
-
APTGT75A60T1G
Microchip Technology
-
FP25R12W2T4PB11BP..
Infineon Technologie..
-
FS15R12YT3BOMA1
Infineon Technologie..
-
F475R07W1H3B11ABO..
Infineon Technologie..
-
APTGT20TL601G
Microchip Technology
-
APTGT50DH60T1G
Microchip Technology