Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
APTGLQ50DDA65T3G
Microchip Technology
-
APTGLQ50VDA65T3G
Microchip Technology
-
FP10R12KE3BOMA1
Infineon Technologie..
-
APTGT50H60T1G
Microchip Technology
-
FP20R06YE3B4BOMA1
Infineon Technologie..
-
FP10R12YT3BOMA1
Infineon Technologie..
-
DF200R12W1H3B27BO..
Infineon Technologie..
-
APTGT50A120T1G
Microchip Technology
-
APTGLQ25H120T1G
Microchip Technology
-
APTGLQ30H65T3G
Microchip Technology
-
MIXA10WB1200TED
IXYS
-
MII75-12A3
IXYS
-
APTGT50DDA60T3G
Microchip Technology
-
APT150GT120JR
Microchip Technology
-
FF150R12YT3BOMA1
Infineon Technologie..
-
APTGT100DA120T1G
Microchip Technology
-
FP15R06YE3B4BOMA1
Infineon Technologie..
-
APTGT100A60T1G
Microchip Technology
-
NXH75M65L4Q1PTG
onsemi
-
NXH35C120L2C2S1G
onsemi