Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
FB20R06W1E3B11BPS..
Infineon Technologie..
-
APT100GT120JU3
Microchip Technology
-
IXBN42N170A
IXYS
-
APT65GP60J
Microchip Technology
-
APT35GP120J
Microchip Technology
-
FB20R06W1E3BOMA1
Infineon Technologie..
-
APT100GN120J
Microchip Technology
-
APT25GLQ120JCU2
Microchip Technology
-
FP10R12W1T4B3BOMA..
Infineon Technologie..
-
DF80R07W1H5FPB50B..
Infineon Technologie..
-
IXGN50N120C3H1
IXYS
-
FP15R06W1E3B11BOM..
Infineon Technologie..
-
FP06R12W1T4B3BOMA..
Infineon Technologie..
-
APT50GR120JD30
Microchip Technology
-
FP10R12W1T7B3BOMA..
Infineon Technologie..
-
IXXN200N60B3H1
IXYS
-
FP10R06W1E3B11BOM..
Infineon Technologie..
-
APT50GP60JDQ2
Microchip Technology
-
APT50GP60J
Microchip Technology
-
MIXA150R1200VA
IXYS