Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные FET, MOSFET
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
PMV32UP
Nexperia
-
IPD053N06N
Infineon Technologie..
-
BSC0906NS
Infineon Technologie..
-
SI9945AEY-T1-E3
Vishay / Siliconix
-
IPB100N10S3-05
Infineon Technologie..
-
BSC109N10NS3 G
Infineon Technologie..
-
IPD60R180P7
Infineon Technologie..
-
2SK3019
ROHM Semiconductor
-
BSH201
Nexperia
-
BSC011N03LSI
Infineon Technologie..
-
2N7002DW H6327
Infineon Technologie..
-
IPA60R360P7S
Infineon Technologie..
-
TKR74F04PB
Toshiba
-
IAUA250N04S6N007
Infineon Technologie..
-
IPD031N06L3 G
Infineon Technologie..
-
BUK9Y25-80E
Nexperia
-
IPA95R450P7
Infineon Technologie..
-
IAUC120N04S6N010
Infineon Technologie..
-
BSC054N04NS G
Infineon Technologie..
-
BSP613P H6327
Infineon Technologie..