Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные FET, MOSFET
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
IPG20N10S4L-22A
Infineon Technologie..
-
BUK9Y14-80E
Nexperia
-
IPD600N25N3 G
Infineon Technologie..
-
2N7002BKS
Nexperia
-
NX3008NBK
Nexperia
-
BSP322P H6327
Infineon Technologie..
-
2SK2611
Toshiba
-
PSMN013-100YSE
Nexperia
-
IPW65R075CFD7A
Infineon Technologie..
-
IPG20N10S4L-35
Infineon Technologie..
-
IPA80R280P7
Infineon / IR
-
CPC5602C
IXYS Integrated Circ..
-
BUK9K52-60E
Nexperia
-
SI2304DS
Nexperia
-
IPD80R280P7
Infineon / IR
-
IPA65R650CE
Infineon Technologie..
-
IMW120R060M1H
Infineon Technologie..
-
IAUT165N08S5N029
Infineon Technologie..
-
SSM3J334R
Toshiba
-
SQD50P06-15L-GE3
Vishay / Siliconix