Дискретные полупроводниковые продукты
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
FGH40T65SHD
onsemi
-
IHW30N135R3
Infineon Technologie..
-
IKQ100N60T
Infineon Technologie..
-
IKW75N65EL5
Infineon Technologie..
-
IKW40N60H3
Infineon Technologie..
-
IHW30N135R5
Infineon Technologie..
-
IKW25N120T2
Infineon Technologie..
-
IKW30N60H3
Infineon Technologie..
-
IHW20N135R5
Infineon Technologie..
-
IKP10N60T
Infineon Technologie..
-
IKW50N65H5
Infineon Technologie..
-
IKW50N65ES5
Infineon Technologie..
-
IKW40N120T2
Infineon Technologie..
-
IKQ50N120CH3
Infineon Technologie..
-
IHW30N160R5
Infineon Technologie..
-
IKQ75N120CH3
Infineon Technologie..
-
IKW40N120CS6
Infineon Technologie..
-
IKW25N120H3
Infineon Technologie..
-
IKW50N65EH5
Infineon Technologie..
-
IKW40N65H5
Infineon Technologie..