Изображения являются только для ссылки
IKQ75N120CH3
IGBTs INDUSTRY 14
- Производитель
- Мфр. Часть #IKQ75N120CH3
- Пакет
- Лист данных IKQ75N120CH3 DataSheet
- В наличии13570
100% оригинальный & Новые
24 часа готовы к отправке
Гарантия 365 дней
RFQ и Получить больше скидок
Спецификации
| Packaging | Tube |
Обзор
Description
This MOSFET is typically constructed using advanced silicon technology, ensuring high reliability and thermal stability. It comes in a TO-247 package, which facilitates effective heat dissipation, allowing for better performance in high-power applications.
Key specifications include a typical gate threshold voltage (V_GS(th)) and fast switching speeds, making it ideal for applications requiring rapid on/off transitions. The IKQ75N120CH3 is often favored for its efficiency and robustness in demanding environments.
Features
1. Voltage Rating: It has a maximum drain-source voltage (V_DS) of 1200V, making it suitable for high-voltage applications.
2. Current Rating: Capable of handling a continuous drain current (I_D) of 75A, it is suitable for demanding power management tasks.
3. Low On-Resistance: With a low R_DS(on), it minimizes conduction losses, enhancing efficiency in power conversion and switching applications.
4. Fast Switching Speed: The device is optimized for fast switching, which is crucial for high-frequency applications, reducing turn-on and turn-off delays.
5. Thermal Performance: It features a high thermal conductivity package, allowing effective heat dissipation and reliability in operation.
6. Package Type: Typically available in TO-220 or similar packages for easy mounting and heat sinking.
These features make the IKQ75N120CH3 ideal for use in applications such as switch-mode power supplies, inverters, and motor drives.
Package
Pinout
The functions of the pins are as follows:
1. Gate (G) - Controls the on/off state of the IGBT.
2. Collector (C) - The main terminal for the output current, connected to the load.
3. Emitter (E) - Provides a return path for current, connected to the negative side of the circuit.
4. Auxiliary Collector (C) - Used for providing feedback or sensing current.
5. Emitter (E) - A second emitter pin for improved thermal performance.
6. Gate-Emitter (G-E) - Often includes a diode for protection against voltage spikes.
This IGBT is suitable for applications like motor drives, inverters, and power converters due to its ability to handle high voltage and current levels efficiently.
Manufacturer
Application
Equivalent
Доставка
Методы доставки Мы
предлагать глобальные услуги доставки через DHL, FedEx, TNT, UPS или любой другой экспедитор по вашему выбору.
Ссылка на плату за доставку (DHL/FedEx):
DHL компанией: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 2-5 рабочих дней.
компании FedEx: Стоимость доставки варьируется от 25 до 40 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
УПС: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
ТНТ: Стоимость доставки варьируется от 25 до 65 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
ЭМС: Стоимость доставки варьируется от $30-$50 (0,5 кг), с предполагаемым сроком доставки 7-15 рабочих дней.
Зарегистрированная воздушная почта: Стоимость доставки составляет 2-4 доллара США (0,1 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 5-20 рабочих дней.
Платежи
Payment Methods
Срок оплаты 100% предоплаченный.
В настоящее время мы принимаем только следующие способы оплаты:
1. PayPal
2. Кредитная/ дебетовая карта
3. Перевод банковских средств
Похожие
-
MX25R8035FM1IL0
Macronix
-
MX25L3233FZBI-08Q
Macronix
-
MX29F400CBTI-70G
Macronix
-
MX25V5126FM1I
Macronix
-
MX30LF2G28AD-TI
Macronix
-
MX25L8035EM2I-10G
Macronix
-
MX25R1635FZUIH0
Macronix
-
MX25U6435FM2I-10G
Macronix
-
MX25L12833FZ2I-10..
Macronix
-
MX25U25645GXDI00
Macronix
-
MX25L25645GXDI-08..
Macronix
-
MX25U51245GZ4I00
Macronix