Дискретные полупроводниковые продукты
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
FF1400R17IP4
Infineon Technologie..
-
FF650R17IE4
Infineon Technologie..
-
FF900R12ME7_B11
Infineon Technologie..
-
FS450R12KE3
Infineon Technologie..
-
FZ1200R33KF2C
Infineon Technologie..
-
FP100R12KT4
Infineon Technologie..
-
BSM25GD120DN2E322..
Infineon Technologie..
-
FF1000R17IE4
Infineon Technologie..
-
IFCM30T65GD
Infineon Technologie..
-
FP75R12KT4
Infineon Technologie..
-
FF200R12KT4
Infineon Technologie..
-
PSS10S72FT
Mitsubishi Electric
-
FS150R12KT4
Infineon Technologie..
-
FF300R12KS4
Infineon Technologie..
-
FF150R12RT4
Infineon Technologie..
-
FF1400R12IP4
Infineon Technologie..
-
CM450DX-24T
Mitsubishi Electric
-
FZ750R65KE3
Infineon Technologie..
-
FF300R12KT4
Infineon Technologie..
-
FS820R08A6P2LB
Infineon Technologie..