Дискретные полупроводниковые продукты
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
PS21A79
Mitsubishi Electric
-
BSM25GD120DN2
Infineon Technologie..
-
FS820R08A6P2B
Infineon Technologie..
-
CM900HG-130X
Mitsubishi Electric
-
FF1800R17IP5
Infineon Technologie..
-
FF450R12KT4
Infineon Technologie..
-
FF600R12ME4
Infineon Technologie..
-
FF600R17ME4
Infineon Technologie..
-
IPD70R1K4P7S
Infineon / IR
-
BSC093N04LS G
Infineon Technologie..
-
BSS123N H6327
Infineon Technologie..
-
FQU17P06
onsemi / Fairchild
-
FQD13N10L
onsemi / Fairchild
-
BUK7S1R0-40H
Nexperia
-
PMPB27EP
Nexperia
-
IRF7507
Infineon / IR
-
IPD90N04S4-05
Infineon Technologie..
-
IPD60R600P7
Infineon Technologie..
-
BSZ16DN25NS3 G
Infineon Technologie..
-
IPW60R080P7
Infineon Technologie..