Транзисторы - ИГБТ - Single
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
IXBH10N300HV
IXYS
-
IXGT25N250HV
IXYS
-
IXBH14N300HV
IXYS
-
MMIX1G120N120A3V1
IXYS
-
IXBF42N300
IXYS
-
IXYN300N65A3
IXYS
-
IXBX75N170A
IXYS
-
IXGF20N250
IXYS
-
IXBT32N300HV
IXYS
-
IXYA12N250CHV
IXYS
-
MMIX1G320N60B3
IXYS
-
IXBF20N300
IXYS
-
IXGA20N250HV
IXYS
-
IXGH30N120B3
IXYS
-
IXGH25N250
IXYS
-
IXYT12N250CV1HV
IXYS
-
MMIX1X340N65B4
IXYS
-
IXGA20N250HV-TRL
IXYS
-
MMIX1Y82N120C3H1
IXYS
-
IXYN120N65B3D1
IXYS