Транзисторы - ИГБТ - Single
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
APT35GP120B2D2G
Microchip Technology
-
IXYH120N65B3
IXYS
-
IXYH120N65C3
IXYS
-
IXGX120N60A3
IXYS
-
IXYA30N120A3HV
IXYS
-
APT50GT120LRDQ2G
Microchip Technology
-
IXXR100N60B3H1
IXYS
-
IXGK72N60B3H1
IXYS
-
APT40GP90B2DQ2G
Microchip Technology
-
APT50GT120B2RDLG
Microsemi Corporatio..
-
IXYX100N65B3D1
IXYS
-
APT50GT120B2RDQ2G
Microchip Technology
-
IXGK55N120A3H1
IXYS
-
IXXX140N65B4H1
IXYS
-
IXXH140N65C4
IXYS
-
IXGH24N170A
IXYS
-
IXYH100N65A3
IXYS
-
IXGX55N120A3H1
IXYS
-
IXGK50N120C3H1
IXYS
-
APT75GN120B2G
Microchip Technology