Транзисторы - ИГБТ - Single
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
IXGR55N120A3H1
IXYS
-
APT40GP90BG
Microchip Technology
-
IXXH140N65B4
IXYS
-
APT50GP60B2DQ2G
Microchip Technology
-
APT85GR120L
Microchip Technology
-
IXYH40N120C4
IXYS
-
IXYH40N120B4
IXYS
-
APT80GA90LD40
Microchip Technology
-
APT102GA60L
Microchip Technology
-
IXGX50N120C3H1
IXYS
-
IXYP24N100A4
IXYS
-
IXYP20N120A4
IXYS
-
IXYP20N120B4
IXYS
-
IXYP30N120C4
IXYS
-
APT40GP60B2DQ2G
Microchip Technology
-
APT40GP60BG
Microchip Technology
-
IXYP20N120C4
IXYS
-
APT50GP60BG
Microchip Technology
-
IXYP30N120B4
IXYS
-
IXGT6N170AHV
IXYS