Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные FET, MOSFET
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
IPB027N10N5
Infineon Technologie..
-
BSZ900N20NS3 G
Infineon Technologie..
-
IPT020N10N5
Infineon Technologie..
-
BSC052N08NS5
Infineon Technologie..
-
IPD50N04S4L-08
Infineon Technologie..
-
BSP135 H6327
Infineon Technologie..
-
IRF530N
onsemi / Fairchild
-
BSC050NE2LS
Infineon Technologie..
-
BSC0923NDI
Infineon Technologie..
-
IPP200N15N3 G
Infineon Technologie..
-
BSS308PE H6327
Infineon Technologie..
-
BSC0901NS
Infineon Technologie..
-
IRFP260N
Infineon / IR
-
BSC011N03LS
Infineon Technologie..
-
PSMN1R5-30YLC
Nexperia
-
IPB073N15N5
Infineon Technologie..
-
IPA029N06N
Infineon Technologie..
-
IPW60R037CSFD
Infineon Technologie..
-
IPD50P04P4-13
Infineon Technologie..
-
BSC059N04LS6
Infineon Technologie..