Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные FET, MOSFET
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
SPA11N80C3
Infineon Technologie..
-
IPD200N15N3 G
Infineon Technologie..
-
IPZ40N04S5L-2R8
Infineon Technologie..
-
SPA06N80C3
Infineon Technologie..
-
SPD15P10PL G
Infineon Technologie..
-
IPW60R099C6
Infineon Technologie..
-
IPD50N10S3L-16
Infineon Technologie..
-
IPD90P03P4L-04
Infineon Technologie..
-
IPW60R099CP
Infineon Technologie..
-
IMZA65R027M1H
Infineon Technologie..
-
BSC074N15NS5
Infineon Technologie..
-
IPB180P04P4L-02
Infineon Technologie..
-
IPD26N06S2L-35
Infineon Technologie..
-
SPB17N80C3
Infineon Technologie..
-
IAUT260N10S5N019
Infineon Technologie..
-
IRFR9024N
Infineon / IR
-
IRFP250N
Infineon / IR
-
IPB017N10N5
Infineon Technologie..
-
BSC014N04LSI
Infineon Technologie..
-
PMF170XP
Nexperia