Транзисторы - ИГБТ - Single
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
RGTV60TK65DGVC11
Rohm Semiconductor
-
RGTV60TS65DGC11
Rohm Semiconductor
-
IKW30N65EL5XKSA1
Infineon Technologie..
-
IKW50N65ES5XKSA1
Infineon Technologie..
-
RGTH40TK65DGC11
Rohm Semiconductor
-
FGH50T65UPD
onsemi
-
IGW50N60H3FKSA1
Infineon Technologie..
-
IKW15N120H3FKSA1
Infineon Technologie..
-
AIKW20N60CTXKSA1
Infineon Technologie..
-
IGW50N65F5FKSA1
Infineon Technologie..
-
IKW15N120T2FKSA1
Infineon Technologie..
-
IKW40N65ES5XKSA1
Infineon Technologie..
-
AFGHL40T65SPD
onsemi
-
STGWT60H65DFB
STMicroelectronics
-
NGTB15N120FL2WG
onsemi
-
STGW40NC60KD
STMicroelectronics
-
RGCL80TS60DGC11
Rohm Semiconductor
-
IKW50N65H5FKSA1
Infineon Technologie..
-
AFGHL40T65SQ
onsemi
-
STGW30NC60WD
STMicroelectronics