Транзисторы - ИГБТ - Single
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
IXYP50N65C3
IXYS
-
IKW40N65ET7XKSA1
Infineon Technologie..
-
IKZ50N65EH5XKSA1
Infineon Technologie..
-
APT40GR120B
Microchip Technology
-
RGS60TS65DHRC11
Rohm Semiconductor
-
RGTV00TS65DGC11
Rohm Semiconductor
-
IKW50N60TFKSA1
Infineon Technologie..
-
IXXH30N60C3D1
IXYS
-
IKFW40N60DH3EXKSA..
Infineon Technologie..
-
IGW75N60TFKSA1
Infineon Technologie..
-
APT36GA60BD15
Microchip Technology
-
IXYP20N120C3
IXYS
-
IXGH48N60A3
IXYS
-
IXGA20N120A3
IXYS
-
AFGHL40T65SQD
onsemi
-
IHW40N120R5XKSA1
Infineon Technologie..
-
RGS60TS65HRC11
Rohm Semiconductor
-
RGW80TS65DGC11
Rohm Semiconductor
-
RGW00TS65DGC11
Rohm Semiconductor
-
IXGP20N120A3
IXYS