Транзисторы - ИГБТ - Single
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
IKQ100N60TXKSA1
Infineon Technologie..
-
RGW60TS65CHRC11
Rohm Semiconductor
-
IXXH50N60C3D1
IXYS
-
APT64GA90B2D30
Microchip Technology
-
IXDR30N120D1
IXYS
-
RGSX5TS65EHRC11
Rohm Semiconductor
-
RGWX5TS65EHRC11
Rohm Semiconductor
-
RGT80TS65DGC13
Rohm Semiconductor
-
AFGHL50T65SQDC
onsemi
-
RGT00TS65DGC13
Rohm Semiconductor
-
APT50GN120B2G
Microchip Technology
-
RGSX5TS65DHRC11
Rohm Semiconductor
-
APT35GN120L2DQ2G
Microchip Technology
-
RGT60TS65DGC13
Rohm Semiconductor
-
FGH75T65SQDNL4
onsemi
-
IXGT30N120B3D1
IXYS
-
RGT50TS65DGC13
Rohm Semiconductor
-
IKZ75N65EL5XKSA1
Infineon Technologie..
-
FGY60T120SQDN
onsemi
-
RGSX5TS65EGC11
Rohm Semiconductor