Транзисторы - ИГБТ - Single
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
BIDD05N60T
Bourns Inc.
-
IKD06N65ET6ARMA1
Infineon Technologie..
-
ILP03N60
Infineon Technologie..
-
ILB03N60
Infineon Technologie..
-
ILD03N60
Infineon Technologie..
-
IXGF25N250
IXYS
-
IXGX120N120A3
IXYS
-
IXGH24N170
IXYS
-
APT45GP120BG
Microchip Technology
-
IXBT16N170A
IXYS
-
APT35GP120BG
Microchip Technology
-
IXGH50N120C3
IXYS
-
IXGH25N160
IXYS
-
STGYA120M65DF2
STMicroelectronics
-
APT100GN60LDQ4G
Microchip Technology
-
RGW00TS65CHRC11
Rohm Semiconductor
-
IXGH40N120C3D1
IXYS
-
STGWA60V60DWFAG
STMicroelectronics
-
IXGH48N60B3D1
IXYS
-
RGW80TS65CHRC11
Rohm Semiconductor