Транзисторы - ИГБТ - Single
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
GT50JR22(STA1,E,S..
Toshiba Semiconducto..
-
STGW15M120DF3
STMicroelectronics
-
IXGA20N120A3-TRL
IXYS
-
SGP15N120XKSA1
Infineon Technologie..
-
GT50N322A
Toshiba Semiconducto..
-
MIW40N120-BP
Micro Commercial Co
-
IGZ50N65H5XKSA1
Infineon Technologie..
-
IXYP30N65C3
IXYS
-
STGW40H65FB
STMicroelectronics
-
AOK60B65M3
Alpha & Omega Semico..
-
APT20GN60BG
Microchip Technology
-
SGB15N120ATMA1
Infineon Technologie..
-
IXGH12N120A3
IXYS
-
IXGA12N120A3
IXYS
-
AUIRG4BC30SSTRL
Infineon Technologie..
-
IXA20I1200PZ-TUB
IXYS
-
IXXH30N60C3
IXYS
-
AFGHL25T120RLD
onsemi
-
AOK40B60D
Alpha & Omega Semico..
-
SGW20N60FKSA1
Infineon Technologie..