Транзисторы - ИГБТ - Single
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
APT15GP60BDQ1G
Microchip Technology
-
IXXQ30N60B3M
IXYS
-
AUIRGP4062D1
Infineon Technologie..
-
IXGH48N60C3
IXYS
-
IXYH50N65C3
IXYS
-
SGW30N60FKSA1
Infineon Technologie..
-
STGW40V60DLF
STMicroelectronics
-
IXYH40N90C3
IXYS
-
IGW50N65H5AXKSA1
Infineon Technologie..
-
HGTG20N60B3
onsemi
-
IKFW50N65DH5XKSA1
Infineon Technologie..
-
IXGA30N120B3-TRL
IXYS
-
IXYA50N65C3-TRL
IXYS
-
IGZ75N65H5XKSA1
Infineon Technologie..
-
APT15GT120BRDQ1G
Microchip Technology
-
AIGW40N65F5XKSA1
Infineon Technologie..
-
APT35GA90B
Microchip Technology
-
STGWT60V60DF
STMicroelectronics
-
IXYH20N65B3
IXYS
-
IXA4IF1200TC-TUB
IXYS