Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
DDTA144ECA-7-F
Diodes Incorporated
-
DDTA143ZCA-7-F
Diodes Incorporated
-
DDTC144VCA-7-F
Diodes Incorporated
-
DDTA123ECA-7-F
Diodes Incorporated
-
DDTA123TCA-7-F
Diodes Incorporated
-
DDTC123TCA-7-F
Diodes Incorporated
-
NHDTC124ETR
Nexperia USA Inc.
-
NHDTC123JTR
Nexperia USA Inc.
-
NHDTC144ETR
Nexperia USA Inc.
-
DTA114YMFHAT2L
Rohm Semiconductor
-
DTC043EMT2L
Rohm Semiconductor
-
RN1316,LF
Toshiba Semiconducto..
-
DTC113ZU3T106
Rohm Semiconductor
-
DTA114EU3T106
Rohm Semiconductor
-
BCR135E6433
Infineon Technologie..
-
BCR 192 E6327
Infineon Technologie..
-
BCR 129 E6327
Infineon Technologie..
-
FJV3105RMTF
Fairchild Semiconduc..
-
FJV3102RMTF
Fairchild Semiconduc..
-
DTC123EMT2L
Rohm Semiconductor