Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
PBRP113ET,215
Nexperia USA Inc.
-
PBRN123YT,215
Nexperia USA Inc.
-
DTC143EMT2L
Rohm Semiconductor
-
DDTC143EE-7-F
Diodes Incorporated
-
DDTC144EE-7-F
Diodes Incorporated
-
DDTC143XE-7-F
Diodes Incorporated
-
BCR158E6327HTSA1
Infineon Technologie..
-
NSBC114EF3T5G
onsemi
-
SMUN5235T1G
onsemi
-
SMUN5114T1G
onsemi
-
SMMUN2114LT1G
onsemi
-
SMMUN2214LT1G
onsemi
-
DTC123JMT2L
Rohm Semiconductor
-
DTC143TM3T5G
onsemi
-
DTC023JUBTL
Rohm Semiconductor
-
DTC044EUBTL
Rohm Semiconductor
-
DDTC114YE-7-F
Diodes Incorporated
-
DTC115ECAT116
Rohm Semiconductor
-
DTC143XCAT116
Rohm Semiconductor
-
DTC114TCAT116
Rohm Semiconductor