Изображения являются только для ссылки

STF21N65M5

Name: STF21N65M5
Rating: 4.7 (12 reviews)

MOSFET N-CH 650V 17A TO220FP

Производитель
Мфр. Часть #STF21N65M5
Пакет
Лист данных STF21N65M5 DataSheet
В наличии5730

+БОМ RFQ

100% оригинальный & Новые

24 часа готовы к отправке

Гарантия 365 дней

RFQ и Получить больше скидок

Спецификации

Supplier	STMicroelectronics
Package	Tube
Series	MDmesh™ V
ProductStatus	Active
FETType	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	17A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	10V
RdsOn(Max)@IdVgs	190mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	1950 pF @ 100 V
PowerDissipation(Max)	30W (Tc)
OperatingTemperature	150°C (TJ)
MountingType	Through Hole
SupplierDevicePackage	TO-220FP

Обзор

Description

STF21N65M5 is an N-channel enhancement-mode power MOSFET from STMicroelectronics (STF family). It is intended for high-voltage switch-mode power applications.
Key points
- Voltage/current: VDS about 650 V; typical continuous drain current around 21 A.
- Technology: trench/advanced field-effect transistor design (M5 family) for reliability in switching.
- Gate drive: usually driven with ~10–12 V for full conduction; VGS(th) typically a few volts.
- Applications: offline SMPS, PFC stages, DC-DC converters, half-bridge/topology power stages.
- Packaging: available in common power packages (e.g., D²PAK/TO-220 variants), with thermal considerations important for high-voltage operation.
Notes
- Exact RDS(on), switching characteristics, and safe operating area depend on temperature and packaging; consult the official datasheet for precise values.
- Suitable when you need a high-voltage, moderate-current switch with robust avalanche and ruggedness in HV power designs.

Features

STF21N65M5 is a high-voltage N-channel power MOSFET from STMicroelectronics (SuperFET family).
Key features:
- 650 V maximum drain-source voltage (Vds)
- 21 A continuous drain current (Id)
- Rds(on) ≈ 0.75 Ω (typ) at Vgs = 10 V (max ~1.0–1.2 Ω)
- Fast switching with low gate drive energy
- Avalanche-rated for inductive-load protection
- Wide operating temperature range (-55°C to about 150°C)
- ST’s robust, high-reliability construction suitable for SMPS, PFC, DC-DC converters and motor drives
- Available in multiple packages (through-hole and surface-mount) for versatility
Note: exact Rds(on) and packaging variants may vary by lot; consult the datasheet for precise specifications.

Package

The STF21N65M5 is supplied in a TO-220 (TO-220AB) through‑hole package.

Pinout

STF21N65M5 is a 3-pin N‑channel power MOSFET.
Pin functions:
- Pin 1: Gate (G) – control input.
- Pin 2: Drain (D) – main high‑voltage terminal (also tied to the metal mounting tab/heatsink).
- Pin 3: Source (S) – return/low side terminal.
Function: high‑voltage (650 V class) N‑channel enhancement MOSFET for switching and power conversion.

Manufacturer

Manufacturer: STMicroelectronics (ST).
Type of company: STMicroelectronics is a global, publicly traded semiconductor manufacturer and design company that produces integrated circuits and discrete devices (including power MOSFETs like the STF21N65M5), microcontrollers, analog/mixed-signal chips and sensors for automotive, industrial, consumer and communications markets.

Application

Applications for STF21N65M5 (650V, 21A N-channel MOSFET):
- Offline switch-mode power supplies (AC-DC adapters, battery chargers)
- PFC front ends and high-voltage SMPS
- DC-DC converters in industrial equipment
- Motor control drives (BLDC, PMSM, stepper)
- Solar inverters and energy storage systems
- UPS/inverter topologies
- High-voltage LED drivers and other HV switching circuits

Equivalent

Equivalents are other 650 V N‑channel power MOSFETs with similar Id, RDS(on), package and switching specs. Examples: STW21N65M5 (ST), IXFH21N65(C) (IXYS), FDP21N65 (ON Semiconductor/Fairchild) and STP21NK65Z. Always verify Vds, Id, RDS(on), Vgs, package/pinout and thermal limits in the datasheets before substituting.

Доставка

Методы доставки Мы

предлагать глобальные услуги доставки через DHL, FedEx, TNT, UPS или любой другой экспедитор по вашему выбору.

Ссылка на плату за доставку (DHL/FedEx):

DHL компанией: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 2-5 рабочих дней.

компании FedEx: Стоимость доставки варьируется от 25 до 40 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.

УПС: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.

ТНТ: Стоимость доставки варьируется от 25 до 65 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.

ЭМС: Стоимость доставки варьируется от $30-$50 (0,5 кг), с предполагаемым сроком доставки 7-15 рабочих дней.

Зарегистрированная воздушная почта: Стоимость доставки составляет 2-4 доллара США (0,1 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 5-20 рабочих дней.