Изображения являются только для ссылки
SI7139DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
- Производитель
- Мфр. Часть #SI7139DP-T1-GE3
- Пакет
- Лист данных SI7139DP-T1-GE3 DataSheet
- В наличии22671
100% оригинальный & Новые
24 часа готовы к отправке
Гарантия 365 дней
RFQ и Получить больше скидок
Спецификации
| Supplier | Vishay Siliconix |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | TrenchFET® |
| ProductStatus | Active |
| FETType | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 30 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 40A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 4.5V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 5.5mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 146 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 4230 pF @ 15 V |
| PowerDissipation(Max) | 5W (Ta), 48W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| SupplierDevicePackage | PowerPAK® SO-8 |
Обзор
Description
This MOSFET operates with a maximum drain-source voltage (V_DS) of 30V and can handle continuous drain currents (I_D) up to 100A. It is packaged in a TO-220 form factor, which facilitates effective heat dissipation. The SI7139DP-T1-GE3 is also RoHS-compliant, ensuring it meets environmental regulations.
Key attributes include its low gate charge (Q_g), which contributes to reduced switching losses and enhanced efficiency in power systems. Overall, the SI7139DP-T1-GE3 is ideal for designers seeking reliable, high-efficiency power solutions in compact electronic designs.
Features
1. Voltage Rating: Supports a maximum drain-source voltage (V_DS) of 30V.
2. Current Rating: Capable of handling a continuous drain current (I_D) up to 30A.
3. Low R_DS(on): Offers low on-resistance, typically around 9.5 mΩ at V_GS of 10V, enhancing efficiency and thermal performance.
4. Fast Switching: Designed for quick switching capabilities, making it suitable for high-frequency applications.
5. Gate Threshold Voltage (V_GS(th)): The gate threshold voltage ranges from 2V to 4V, allowing for effective drive with lower gate voltages.
6. Thermal Resistance: Features low thermal resistance, promoting better heat dissipation.
7. Package Type: Available in a DPAK (TO-252) package for easy integration into PCB designs.
These attributes make the SI7139DP-T1-GE3 suitable for automotive, industrial, and consumer electronics applications.
Package
Manufacturer
Application
Equivalent
Доставка
Методы доставки Мы
предлагать глобальные услуги доставки через DHL, FedEx, TNT, UPS или любой другой экспедитор по вашему выбору.
Ссылка на плату за доставку (DHL/FedEx):
DHL компанией: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 2-5 рабочих дней.
компании FedEx: Стоимость доставки варьируется от 25 до 40 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
УПС: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
ТНТ: Стоимость доставки варьируется от 25 до 65 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
ЭМС: Стоимость доставки варьируется от $30-$50 (0,5 кг), с предполагаемым сроком доставки 7-15 рабочих дней.
Зарегистрированная воздушная почта: Стоимость доставки составляет 2-4 доллара США (0,1 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 5-20 рабочих дней.
Платежи
Payment Methods
Срок оплаты 100% предоплаченный.
В настоящее время мы принимаем только следующие способы оплаты:
1. PayPal
2. Кредитная/ дебетовая карта
3. Перевод банковских средств
Похожие
-
MX25L3233FZBI-08Q
Macronix
-
MX25V1635FZNI
Macronix
-
MX29F400CBTI-70G
Macronix
-
MX25V5126FM1I
Macronix
-
MX25V4035FZUI
Macronix
-
MX25V16066M2I02
Macronix
-
MX25L8035EM2I-10G
Macronix
-
MX25L25673GMI-08G
Macronix
-
MX25L25673GMI-10G
Macronix
-
MX25U51279GXDR00
Macronix
-
MX25U3232FZBI02
Macronix
-
MX25U6435FM2I-10G
Macronix