Изображения являются только для ссылки
PBSS4160DS
- Производитель
- Мфр. Часть #PBSS4160DS
- Пакет
- Лист данных
- В наличии6351
100% оригинальный & Новые
24 часа готовы к отправке
Гарантия 365 дней
RFQ и Получить больше скидок
Спецификации
| Brand | Nexperia |
| Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
| Subcategory | Transistors |
Обзор
Description
Students can expect to engage in critical thinking, problem-solving, and collaborative projects, enhancing their understanding of the subject matter. Assessments may include assignments, exams, and presentations to evaluate comprehension and application of the concepts learned. Overall, PBSS4160DS is designed to enrich students' academic experience and prepare them for future professional endeavors in their respective fields. Please consult your institution's course catalog for specific details.
Features
1. Capacity: Offers a large energy storage capacity (typically around 16 kWh), allowing for extensive power management.
2. Scalability: Modular design enables easy scaling to meet increasing energy demands.
3. Efficiency: High round-trip efficiency, often exceeding 90%, to maximize energy use.
4. Compatibility: Works with various solar inverters and systems, making it versatile for different setups.
5. Smart Management: Equipped with advanced energy management software for optimal charging and discharging based on usage patterns.
6. Safety Features: Incorporates various safety mechanisms, including thermal management and overcharge protection.
7. Grid Services: Capable of providing grid services such as demand response and peak shaving.
8. User Interface: Intuitive monitoring and control through a mobile app or web portal.
These features make the PBSS4160DS an effective solution for energy storage needs, enhancing efficiency and sustainability in energy consumption.
Package
Pinout
Pin Functions:
1. Gate 1 (G1): Controls the switching of the first N-channel MOSFET.
2. Source 1 (S1): Connected to the source terminal of the first MOSFET.
3. Drain 1 (D1): Connected to the drain terminal of the first MOSFET.
4. Gate 2 (G2): Controls the switching of the second N-channel MOSFET.
5. Source 2 (S2): Connected to the source terminal of the second MOSFET.
6. Drain 2 (D2): Connected to the drain terminal of the second MOSFET.
This configuration allows for efficient control of power in various electronic applications.
Manufacturer
Application
Equivalent
Доставка
Методы доставки Мы
предлагать глобальные услуги доставки через DHL, FedEx, TNT, UPS или любой другой экспедитор по вашему выбору.
Ссылка на плату за доставку (DHL/FedEx):
DHL компанией: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 2-5 рабочих дней.
компании FedEx: Стоимость доставки варьируется от 25 до 40 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
УПС: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
ТНТ: Стоимость доставки варьируется от 25 до 65 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
ЭМС: Стоимость доставки варьируется от $30-$50 (0,5 кг), с предполагаемым сроком доставки 7-15 рабочих дней.
Зарегистрированная воздушная почта: Стоимость доставки составляет 2-4 доллара США (0,1 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 5-20 рабочих дней.
Платежи
Payment Methods
Срок оплаты 100% предоплаченный.
В настоящее время мы принимаем только следующие способы оплаты:
1. PayPal
2. Кредитная/ дебетовая карта
3. Перевод банковских средств
Похожие
-
MX25V1635FZNI
Macronix
-
MX25V16066M2I02
Macronix
-
MX25R6435FBDIL0
Macronix
-
MX25L25673GMI-10G
Macronix
-
MX25R1635FZUIH0
Macronix
-
MX25U25645GXDI00
Macronix
-
MX25L12835FZ2I-10..
Macronix
-
MX29F040CTI-70G
Macronix
-
MX30LF4G18AC-TI
Macronix
-
MX25V8035FM2I
Macronix
-
MX29LV040CQI-70G
Macronix
-
MX25V1006FM1I
Macronix