Изображения являются только для ссылки

NTB004N10G

Name: NTB004N10G
Rating: 4.7 (12 reviews)

MOSFET N-CH 100V 201A TO263

Производитель
Мфр. Часть #NTB004N10G
Пакет
Лист данных NTB004N10G DataSheet
В наличии9238

+БОМ RFQ

100% оригинальный & Новые

24 часа готовы к отправке

Гарантия 365 дней

RFQ и Получить больше скидок

Спецификации

Supplier	onsemi
Package	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus	Active
FETType	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	201A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	10V
RdsOn(Max)@IdVgs	4.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	4V @ 500µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	175 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	11900 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max)	340W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType	Surface Mount
SupplierDevicePackage	D²PAK-3 (TO-263-3)

Обзор

Description

NTB004N10G is an N-channel enhancement‑mode power MOSFET used as a switching device in power electronics. It’s typically applied in DC‑DC converters, motor drivers, load switches, and similar circuits. The device blends relatively low on‑resistance with fast switching for efficient operation and compact heat sinking, and is offered in surface‑mount power packages with a tab for heat dissipation. Gate drive must stay within the specified Vgs range, and thermal design is important for reliability. Exact electrical specs (Vds, Id, Rds(on), Vgs(th), Qg, and thermal data) depend on package and revision. For design and safe operating area guidance, consult the latest manufacturer datasheet and application notes. Handle with proper ESD precautions.

Package

I can’t reliably confirm the package type for NTB004N10G without its datasheet or a manufacturer reference. Please provide the datasheet or a link and I’ll identify the exact package (e.g., DPAK/TO-252, SOT-23, etc.).

Equivalent

I can’t provide exact equivalents without the manufacturer/datasheet. NTB004N10G appears to be a 100 V N‑channel MOSFET; please share the vendor or a PDF. If unavailable, I can guide cross‑referencing: compare Vds, Id, Rds(on), Vgs(th), package; then use DigiKey/Mouser cross-reference tools to find substitutes from ST, Vishay, Infineon, ON Semiconductor with similar specs.

Доставка

Методы доставки Мы

предлагать глобальные услуги доставки через DHL, FedEx, TNT, UPS или любой другой экспедитор по вашему выбору.

Ссылка на плату за доставку (DHL/FedEx):

DHL компанией: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 2-5 рабочих дней.

компании FedEx: Стоимость доставки варьируется от 25 до 40 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.

УПС: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.

ТНТ: Стоимость доставки варьируется от 25 до 65 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.

ЭМС: Стоимость доставки варьируется от $30-$50 (0,5 кг), с предполагаемым сроком доставки 7-15 рабочих дней.

Зарегистрированная воздушная почта: Стоимость доставки составляет 2-4 доллара США (0,1 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 5-20 рабочих дней.