Изображения являются только для ссылки
MUN5211T1G
TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
- Производитель
- Мфр. Часть #MUN5211T1G
- Пакет SC-70-3
- Лист данных
- В наличии3390
100% оригинальный & Новые
24 часа готовы к отправке
Гарантия 365 дней
RFQ и Получить больше скидок
Спецификации
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk |
| ProductStatus | Active |
| TransistorType | NPN - Pre-Biased |
| Current-Collector(Ic)(Max) | 100 mA |
| Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) | 50 V |
| Resistor-Base(R1) | 10 kOhms |
| Resistor-EmitterBase(R2) | 10 kOhms |
| DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce | 35 @ 5mA, 10V |
| VceSaturation(Max)@IbIc | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Current-CollectorCutoff(Max) | 500nA |
| Power-Max | 202 mW |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | SC-70, SOT-323 |
Обзор
Description
Features
1. High Integration: Combines multiple functionalities into a single chip, reducing board space and complexity.
2. Low Power Consumption: Optimized for energy efficiency, making it suitable for battery-operated devices.
3. Wide Frequency Range: Supports a broad spectrum of operational frequencies, enhancing versatility in applications.
4. Robust Performance: Delivers reliable performance under varying conditions, ensuring stability and longevity.
5. Advanced Interface Options: Supports multiple communication protocols, facilitating easy integration into existing systems.
6. Temperature Tolerance: Designed to operate effectively across a range of temperatures, suitable for industrial applications.
7. Compact Package Size: Small form factor, allowing integration into space-constrained designs.
Overall, the MUN5211T1G is ideal for applications in wireless communication, IoT devices, and embedded systems, providing a blend of efficiency, performance, and flexibility.
Package
Pinout
1. Gate 1 (G1) - Controls the first N-channel MOSFET.
2. Drain 1 (D1) - The drain terminal for the first MOSFET.
3. Source 1 (S1) - The source terminal for the first MOSFET.
4. Gate 2 (G2) - Controls the second N-channel MOSFET.
5. Drain 2 (D2) - The drain terminal for the second MOSFET.
6. Source 2 (S2) - The source terminal for the second MOSFET.
This device is primarily used for switching applications in power management and signal amplification. Each MOSFET can be independently controlled, making it versatile for various electronic circuit designs.
Manufacturer
Application
Equivalent
Доставка
Методы доставки Мы
предлагать глобальные услуги доставки через DHL, FedEx, TNT, UPS или любой другой экспедитор по вашему выбору.
Ссылка на плату за доставку (DHL/FedEx):
DHL компанией: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 2-5 рабочих дней.
компании FedEx: Стоимость доставки варьируется от 25 до 40 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
УПС: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
ТНТ: Стоимость доставки варьируется от 25 до 65 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
ЭМС: Стоимость доставки варьируется от $30-$50 (0,5 кг), с предполагаемым сроком доставки 7-15 рабочих дней.
Зарегистрированная воздушная почта: Стоимость доставки составляет 2-4 доллара США (0,1 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 5-20 рабочих дней.
Платежи
Payment Methods
Срок оплаты 100% предоплаченный.
В настоящее время мы принимаем только следующие способы оплаты:
1. PayPal
2. Кредитная/ дебетовая карта
3. Перевод банковских средств
Похожие
-
MX25V1635FZNQ03
Macronix
-
MX29F400CBTI-70G
Macronix
-
MX25V4035FZUI
Macronix
-
MX25V2033FM1I
Macronix
-
MX25R3235FZNIL0
Macronix
-
MX25V16066M2I02
Macronix
-
MX25L8035EM2I-10G
Macronix
-
MX25R6435FBDIL0
Macronix
-
MX25L25673GMI-08G
Macronix
-
MX29GL512FHXFI-11..
Macronix
-
MX25U25643GZNI00
Macronix
-
MX25L2006EM1I-12G
Macronix