Изображения являются только для ссылки
MT41J256M16HA-107:E
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
- Производитель
- Мфр. Часть #MT41J256M16HA-107:E
- Пакет 96-FBGA (9x14)
- Лист данных
- В наличии3371
100% оригинальный & Новые
24 часа готовы к отправке
Гарантия 365 дней
RFQ и Получить больше скидок
Спецификации
| Package | Tray |
| ProductStatus | Obsolete |
| MemoryType | Volatile |
| MemoryFormat | DRAM |
| Technology | SDRAM - DDR3 |
| MemorySize | 4Gb (256M x 16) |
| MemoryInterface | Parallel |
| ClockFrequency | 933 MHz |
| AccessTime | 20 ns |
| Voltage-Supply | 1.425V ~ 1.575V |
| OperatingTemperature | 0°C ~ 95°C (TC) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 96-TFBGA |
Обзор
Description
- Organization/density: 256M x 16 organization, i.e., 4 Gbits per device.
- Package/variant: advertised as a high-density DRAM chip used in mobile/embedded applications; -E denotes extended temperature option.
- Speed/grade: the “-107” suffix indicates the speed grade; the exact timing/clock specs are in the datasheet.
- Application: used as a component in memory subsystems for devices requiring high bandwidth in a small form factor.
Note: exact electrical specs (interface type, voltage, CL/tRCD/tRP, banks, timing, and packaging) vary by revision and must be confirmed in the Micron MT41J256M16HA-107:E datasheet for your specific lot and operating conditions.
Features
- Density/organization: 4 Gb total; 256M × 16 data width
- Interface: DDR3 SDRAM, 16-bit I/O
- Banks: 8 banks (DDR3 architecture)
- Speed: up to DDR3-1066 MT/s (PC3-1066)
- Voltage: 1.35 V nominal (DDR3L) with low‑power modes
- Features: synchronous operation, burst length 8, multi-bank interleaving, auto refresh, power-down modes
- Packaging/grade: E suffix indicates lead-free; temperature range varies by grade (often -40 °C to 85 °C)
Package
Pinout
- Function: DDR3 SDRAM memory IC with 256M x 16 organization (4Gb total), 16-bit data bus, typically 1.5V, speed grade ~1066 MT/s (PC3-8500). Used as a memory device in modules.
Manufacturer
- What kind of company: An American multinational semiconductor company that designs and manufactures memory and storage technologies (DRAM and NAND flash).
Application
Equivalent
- Samsung: K4B4G1646D (K4B4G1646 family)
- SK hynix: H5TQ2G63EFR
- Nanya: NT4G64M16HP
Note: exact 1:1 cross depends on speed grade (-107) and package; consult cross-reference guides/distributors for precise matches.
Доставка
Методы доставки Мы
предлагать глобальные услуги доставки через DHL, FedEx, TNT, UPS или любой другой экспедитор по вашему выбору.
Ссылка на плату за доставку (DHL/FedEx):
DHL компанией: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 2-5 рабочих дней.
компании FedEx: Стоимость доставки варьируется от 25 до 40 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
УПС: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
ТНТ: Стоимость доставки варьируется от 25 до 65 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
ЭМС: Стоимость доставки варьируется от $30-$50 (0,5 кг), с предполагаемым сроком доставки 7-15 рабочих дней.
Зарегистрированная воздушная почта: Стоимость доставки составляет 2-4 доллара США (0,1 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 5-20 рабочих дней.
Платежи
Payment Methods
Срок оплаты 100% предоплаченный.
В настоящее время мы принимаем только следующие способы оплаты:
1. PayPal
2. Кредитная/ дебетовая карта
3. Перевод банковских средств
Похожие
-
MX25V1635FZNI
Macronix
-
MX29F400CBTI-70G
Macronix
-
MX25V4035FZUI
Macronix
-
MX25R3235FZNIL0
Macronix
-
MX25L25673GMI-08G
Macronix
-
MX25L25673GMI-10G
Macronix
-
MX25U51279GXDR00
Macronix
-
MX25L12833FZNI-10..
Macronix
-
MX25U25645GXDI00
Macronix
-
MX29F800CBTI-70G
Macronix
-
MX30LF4G18AC-TI
Macronix
-
MX25L4006EM2I-12G
Macronix