Изображения являются только для ссылки

MT40A256M16TB-062E:G

Name: MT40A256M16TB-062E:G
Rating: 4.7 (12 reviews)

MOD DRAM 4GBIT PARALLEL FBGA

Производитель
Мфр. Часть #MT40A256M16TB-062E:G
Пакет 96-TFBGA
Лист данных
В наличии3687

+БОМ RFQ

100% оригинальный & Новые

24 часа готовы к отправке

Гарантия 365 дней

RFQ и Получить больше скидок

Спецификации

Package	Tray
ProductStatus	Obsolete
MemoryType	Volatile
MemoryFormat	DRAM
Technology	SDRAM - DDR4
MemorySize	4Gb (256M x 16)
MemoryInterface	Parallel
ClockFrequency	1.6 GHz
WriteCycleTime-WordPage	15ns
AccessTime	19 ns
Voltage-Supply	1.14V ~ 1.26V
OperatingTemperature	0°C ~ 95°C (TC)
MountingType	Surface Mount
Package/Case	96-TFBGA

Обзор

Description

MT40A256M16TB-062E:G is a Micron DRAM device. Key points:
- Type/family: Micron MT40A256M16TB series DRAM chip.
- Density/organization: 256 megabits total, organized as 256M x 16 (32 MB per device).
- Use: a component die used in memory modules (DIMMs, server memory), not a standalone RAM module.
- Suffixes: “-062E” denotes a specific speed grade/temperature rating; “:G” indicates RoHS-compliant (lead-free).
- Specs: exact speed (data rate), timing, and operating voltage depend on the revision and datasheet. Check the Micron MT40A256M16TB datasheet or product page for the precise values.
If you need precise speed (MT/s), voltage, and timing, refer to the official datasheet for this exact part revision.

Package

FBGA-96 (96-ball fine-pitch Ball Grid Array) package.

Pinout

Pin count: 96 pins (FBGA package).
Function: Micron MT40A256M16TB-062E:G is a DDR3 SDRAM device, organized 256M × 16 (i.e., 4 Gbit total). It provides a standard DDR3 memory interface with 16 data lines (DQ0–DQ15) plus data-strobe lines (DQS) and the usual DDR3 address/command signals (A0–A12, BA0–BA2, CS, RAS, CAS, WE, CKE, ODT, etc.) and power/ground pins. It is used as synchronous memory with multiple banks (typically 8) for system memory.

Manufacturer

- Manufacturer: Micron Technology, Inc.
- What kind of company: An American multinational semiconductor company that designs and manufactures memory and storage technologies (DRAM, NAND flash); an integrated device manufacturer (IDM) headquartered in Boise, Idaho.

Application

MT40A256M16TB-062E:G is a DRAM device. Typical application areas:
- Graphics/video memory (GPUs, game consoles) for frame buffers and textures
- System memory for desktops, notebooks, and embedded platforms
- Networking/telecom equipment (buffers, caches)
- Industrial, automotive, and consumer electronics requiring moderate-capacity DRAM
- Storage controllers and accelerators as cache/memory buffers
Note: exact usage depends on system design and memory interface (e.g., DDR variation and speed).

Доставка

Методы доставки Мы

предлагать глобальные услуги доставки через DHL, FedEx, TNT, UPS или любой другой экспедитор по вашему выбору.

Ссылка на плату за доставку (DHL/FedEx):

DHL компанией: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 2-5 рабочих дней.

компании FedEx: Стоимость доставки варьируется от 25 до 40 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.

УПС: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.

ТНТ: Стоимость доставки варьируется от 25 до 65 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.

ЭМС: Стоимость доставки варьируется от $30-$50 (0,5 кг), с предполагаемым сроком доставки 7-15 рабочих дней.

Зарегистрированная воздушная почта: Стоимость доставки составляет 2-4 доллара США (0,1 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 5-20 рабочих дней.