MT40A1G4RH-083E:B

Изображения являются только для ссылки

MT40A1G4RH-083E:B

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA

  • Производитель
  • Мфр. Часть #MT40A1G4RH-083E:B
  • Пакет 78-TFBGA
  • Лист данных
  • В наличии202

100% оригинальный & Новые

24 часа готовы к отправке

Гарантия 365 дней

RFQ и Получить больше скидок

Спецификации

Supplier Micron Technology Inc.
Package Tray
ProductStatus Obsolete
MemoryType Volatile
MemoryFormat DRAM
Technology SDRAM - DDR4
MemorySize 4Gb (1G x 4)
MemoryInterface Parallel
ClockFrequency 1.2 GHz
Voltage-Supply 1.14V ~ 1.26V
OperatingTemperature 0°C ~ 95°C (TC)
MountingType Surface Mount
Package/Case 78-TFBGA

Обзор

Description

MT40A1G4RH-083E:B is a Micron Technology DRAM device. It belongs to the MT40A1G4RH family and is a high-density SDRAM memory chip used on memory modules (DIMMs, etc.). The part number encodes the memory family, density/organization and speed grade, but exact specifications (density, organization, data rate in MT/s, voltage, timing, and package) vary by revision and require the Micron datasheet for MT40A1G4RH-083E:B. If you need precise parameters, I can summarize the datasheet once you provide it or I can guide you on where to find the key specs (density/organization, speed, voltage, timing, package).

Features

MT40A1G4RH-083E:B is a Micron DDR3 SDRAM device with:
- Density/width: 1 Gbit per device, x4 data width (1Gbit x4)
- Interface: DDR3 SDRAM, synchronous
- Banks: 8 banks
- Voltage: DDR3L-compatible (typical 1.35V; some variants 1.5V)
- Temperature: usable in standard extended temp range (-40°C to 85°C)
- Packaging: Pb-free/RoHS compliant options
- Features: low-latency SDRAM timing, suitable for mobile/embedded memory applications
Note: exact speed grade and voltage can vary by revision; check the datasheet for your specific lot.

Package

FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array), typically a 96-ball (8×11 mm) footprint.

Pinout

- Pin count: 60-ball FBGA (60 pins).
- Function: Micron MT40A1G4RH-083E:B is a 1 Gb, x4 DRAM device (mobile DRAM). It provides 4 data lines (DQ0–DQ3) plus the standard DRAM address/command pins (A0–A12, BA0–BA2, CS#, RAS#, CAS#, WE#) and control/power pins (CK/CK#, CKE, ODT, Vcc, Vss).

Manufacturer

- Manufacturer: Micron Technology, Inc.
- What kind of company: An American multinational memory and storage semiconductor company (DRAM, NAND/NOR flash, and related solutions).

Application

MT40A1G4RH-083E:B is Micron’s 1 Gb ×4 DRAM used as system memory in low‑power designs. Applications: mobile devices (phones, tablets, wearables), embedded systems, consumer electronics, automotive infotainment, networking/storage gear, and industrial/IoT equipment needing high‑density, low‑power memory.

Доставка

Методы доставки Мы

предлагать глобальные услуги доставки через DHL, FedEx, TNT, UPS или любой другой экспедитор по вашему выбору.


Ссылка на плату за доставку (DHL/FedEx):

DHL компанией: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 2-5 рабочих дней.

компании FedEx: Стоимость доставки варьируется от 25 до 40 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.

УПС: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.

ТНТ: Стоимость доставки варьируется от 25 до 65 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.

ЭМС: Стоимость доставки варьируется от $30-$50 (0,5 кг), с предполагаемым сроком доставки 7-15 рабочих дней.

Зарегистрированная воздушная почта: Стоимость доставки составляет 2-4 доллара США (0,1 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 5-20 рабочих дней.

Платежи

Payment Methods

Срок оплаты 100% предоплаченный.

В настоящее время мы принимаем только следующие способы оплаты:

1. PayPal

2. Кредитная/ дебетовая карта

3. Перевод банковских средств

Похожие