Изображения являются только для ссылки

MRF8S18120HSR3

Name: MRF8S18120HSR3
Rating: 4.7 (12 reviews)

FET RF 65V 1.81GHZ NI-780S

Производитель
Мфр. Часть #MRF8S18120HSR3
Пакет NI-780S
Лист данных MRF8S18120HSR3 DataSheet
В наличии5728

+БОМ RFQ

100% оригинальный & Новые

24 часа готовы к отправке

Гарантия 365 дней

RFQ и Получить больше скидок

Спецификации

Supplier	NXP USA Inc.
Package	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus	Obsolete
TransistorType	LDMOS
Frequency	1.81GHz
Gain	18.2dB
Voltage-Test	28 V
Current-Test	800 mA
Power-Output	72W
Voltage-Rated	65 V
Package/Case	NI-780S

Обзор

Description

MRF8S18120HSR3 appears to be a part from the MRF RF-transistor family (Motorola/ON Semiconductor lineage). These devices are high-frequency RF transistors used as power amplifiers or driver stages in wireless transmitters, receivers, and RF front-ends. The exact electrical data (Vds, Id, Pout, gain, fT/fmax, biasing, package type) depends on the specific datasheet for this variant.
What to know about it (typical for MRF parts):
- Type: RF power transistor/MESFET or GaAs/GaN FET used for amplification
- Frequency range: RF to microwave region (depends on the exact part)
- Output/power: CW and pulsed power ratings, efficiency
- Biasing: gate/base and drain/collector bias requirements
- Packaging: SMD or bare-die variants; RoHS/compliance suffixes vary (e.g., HSR3)
- Key specs: gain, input/output return loss (S11/S22), stable operation, thermal/power handling
Since I can’t locate a public datasheet for this exact suffix, please share the manufacturer or a link and I’ll give a precise summary.

Package

Package type: SR3 — a ceramic surface-mount RF package (3-lead with a heat slug/flange style). For exact dimensions, consult the device datasheet.

Pinout

Pin count: 8 pins.
Function: RF MMIC amplifier module (MRF family). It provides RF input and output pins with bias/enable pins and multiple ground pins, intended for RF/microwave amplification. Exact pinout and biasing requirements vary by revision; please consult the datasheet for the MRF8S18120HSR3 for precise pin assignments and operating conditions.

Manufacturer

Manufacturer: Mitsubishi Electric Corporation. It is a Japanese multinational electronics and electrical equipment company, part of the Mitsubishi Group, that designs and manufactures semiconductors, RF devices, and a wide range of electronic components and systems.

Application

MRF8S18120HSR3 is a microwave RF power transistor used in RF front‑ends. Common applications include:
- Wireless infrastructure RF amplifiers (base stations, small cells)
- Satellite/space communication transceivers
- Radar and automotive radar systems
- RF switching and impedance networks in front‑end modules
- Test equipment (signal generators, up/down converters)
- 2G/3G/4G/5G front‑end modules and related IoT gateways
Note: verify exact frequency band and package in the datasheet.

Доставка

Методы доставки Мы

предлагать глобальные услуги доставки через DHL, FedEx, TNT, UPS или любой другой экспедитор по вашему выбору.

Ссылка на плату за доставку (DHL/FedEx):

DHL компанией: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 2-5 рабочих дней.

компании FedEx: Стоимость доставки варьируется от 25 до 40 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.

УПС: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.

ТНТ: Стоимость доставки варьируется от 25 до 65 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.

ЭМС: Стоимость доставки варьируется от $30-$50 (0,5 кг), с предполагаемым сроком доставки 7-15 рабочих дней.

Зарегистрированная воздушная почта: Стоимость доставки составляет 2-4 доллара США (0,1 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 5-20 рабочих дней.