Изображения являются только для ссылки

MRF8P20140WHSR3

Name: MRF8P20140WHSR3
Rating: 4.7 (12 reviews)

FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S-4

Производитель
Мфр. Часть #MRF8P20140WHSR3
Пакет NI-780S-4L
Лист данных
В наличии7330

+БОМ RFQ

100% оригинальный & Новые

24 часа готовы к отправке

Гарантия 365 дней

RFQ и Получить больше скидок

Спецификации

Supplier	NXP USA Inc.
Package	Tape & Reel (TR)
ProductStatus	Obsolete
TransistorType	LDMOS (Dual)
Frequency	1.88GHz ~ 1.91GHz
Gain	16dB
Voltage-Test	28 V
Current-Test	500 mA
Power-Output	24W
Voltage-Rated	65 V
Package/Case	NI-780S-4L

Обзор

Description

MRF8P20140WHSR3 is a high‑power RF/microwave device in the MRF family (Motorola/ON Semiconductor lineage). The MRF prefix signals a RF power transistor or MOSFET, while WHSR3 denotes a specific surface‑mount package/thermal‑pad style used by the supplier. Typical roles include RF amplifiers, switching regulators, and transmitter/receiver front‑ends requiring substantial current and/or high frequency performance.
What to look for in the datasheet:
- Electricals: VDS, ID, PD(max), Rds(on) (if MOSFET), Ft or gain, operating frequency range.
- Package: WHSR3 footprint, thermal resistance, mounting/heat-sinking requirements.
- Limits: safe operating area, biasing, ESD, and derating curves.
If you have the official datasheet or your target specs (voltage, current, frequency range, power), I can tailor a precise introduction and usage guidance.

Package

The MRF8P20140WHSR3 uses the WHS package—a surface-mount power MOSFET package (D2PAK/TO-263 style) with three leads and a drain tab.

Pinout

Pin count: 8 pins.
Function: RF MMIC power amplifier (2.0–14.0 GHz) in an 8-pin package. Pins provide RF input and RF output, supply/bias (Vdd and bias/gate), and ground; remaining pins are typically no-connect or substrate per the datasheet. For exact pinout, refer to the datasheet.

Manufacturer

- Manufacturer: ON Semiconductor (originating from Motorola’s Semiconductor Products Sector).
- Company type: A global semiconductor company that designs and manufactures analog, discrete, power, and mixed-signal ICs for automotive, industrial, communications, and consumer markets.

Application

MRF8P20140WHSR3 is a high‑power RF LDMOS transistor. Typical applications include:
- Wireless infrastructure RF power amplifiers (base stations, macro/pico cells)
- Radar systems (military and civilian)
- Satellite communications uplink/downlink PA stages
- Broadcast and other RF transmitters
- Industrial, scientific and medical (ISM) RF systems and plasma generators
- Test and measurement equipment (RF lab amplifiers)

Доставка

Методы доставки Мы

предлагать глобальные услуги доставки через DHL, FedEx, TNT, UPS или любой другой экспедитор по вашему выбору.

Ссылка на плату за доставку (DHL/FedEx):

DHL компанией: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 2-5 рабочих дней.

компании FedEx: Стоимость доставки варьируется от 25 до 40 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.

УПС: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.

ТНТ: Стоимость доставки варьируется от 25 до 65 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.

ЭМС: Стоимость доставки варьируется от $30-$50 (0,5 кг), с предполагаемым сроком доставки 7-15 рабочих дней.

Зарегистрированная воздушная почта: Стоимость доставки составляет 2-4 доллара США (0,1 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 5-20 рабочих дней.