Изображения являются только для ссылки
IRLR120NTRPBF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
- Производитель
- Мфр. Часть #IRLR120NTRPBF
- Пакет TO-252-3,DPAK(2Leads+Tab),SC-63
- Лист данных IRLR120NTRPBF DataSheet
- В наличии3429
100% оригинальный & Новые
24 часа готовы к отправке
Гарантия 365 дней
RFQ и Получить больше скидок
Спецификации
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | HEXFET® |
| ProductStatus | Active |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 100 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 10A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 4V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 185mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 20 nC @ 5 V |
| Vgs(Max) | ±16V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 440 pF @ 25 V |
| PowerDissipation(Max) | 48W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| SupplierDevicePackage | D-Pak |
Обзор
Description
Features
1. Voltage Rating: Maximum drain-source voltage of 30V, suitable for low-voltage applications.
2. Current Rating: Continuous drain current of up to 120A, allowing for high power handling.
3. RDS(on): Low on-resistance (typically around 0.03 ohms), which minimizes conduction losses and improves efficiency.
4. Gate Threshold Voltage: Low gate-to-source threshold voltage (VGS(th)) around 2V to 4V, enabling operation with lower drive voltages.
5. Package: Available in a DPAK package, which provides good thermal performance and ease of mounting.
6. Fast Switching: High-speed switching capabilities make it suitable for applications requiring quick response times.
7. Thermal Resistance: Low thermal resistance for better heat dissipation, supporting high-power applications.
These features make the IRLR120NTRPBF ideal for automotive, industrial, and consumer electronics applications.
Package
Pinout
1. Gate (G): Controls the MOSFET's switching.
2. Drain (D): The output terminal where the load is connected.
3. Source (S): The terminal that connects to the ground or negative side of the power supply.
This MOSFET is designed for high-speed switching applications and is characterized by low on-resistance (Rds(on)) and high current carrying capability, making it suitable for power management and motor control applications. It can handle a maximum drain-source voltage (Vds) of 60V and a continuous drain current (Id) of up to 120A, depending on thermal management.
Manufacturer
Application
Equivalent
Доставка
Методы доставки Мы
предлагать глобальные услуги доставки через DHL, FedEx, TNT, UPS или любой другой экспедитор по вашему выбору.
Ссылка на плату за доставку (DHL/FedEx):
DHL компанией: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 2-5 рабочих дней.
компании FedEx: Стоимость доставки варьируется от 25 до 40 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
УПС: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
ТНТ: Стоимость доставки варьируется от 25 до 65 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
ЭМС: Стоимость доставки варьируется от $30-$50 (0,5 кг), с предполагаемым сроком доставки 7-15 рабочих дней.
Зарегистрированная воздушная почта: Стоимость доставки составляет 2-4 доллара США (0,1 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 5-20 рабочих дней.
Платежи
Payment Methods
Срок оплаты 100% предоплаченный.
В настоящее время мы принимаем только следующие способы оплаты:
1. PayPal
2. Кредитная/ дебетовая карта
3. Перевод банковских средств
Похожие
-
MX25R8035FM1IL0
Macronix
-
MX25V1635FZNQ03
Macronix
-
MX25V4035FZUI
Macronix
-
MX25V2033FM1I
Macronix
-
MX25L25673GMI-10G
Macronix
-
MX25U51279GXDR00
Macronix
-
MX25L2006EM1I-12G
Macronix
-
MX25U3232FZBI02
Macronix
-
MX25L12833FM2I-10..
Macronix
-
MX29F040CQI-70G
Macronix
-
MX25L25645GXDI-08..
Macronix
-
MX30LF4G18AC-TI
Macronix