Изображения являются только для ссылки

IRF6218PBF

Name: IRF6218PBF
Rating: 4.7 (12 reviews)

MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB

Производитель
Мфр. Часть #IRF6218PBF
Пакет
Лист данных IRF6218PBF DataSheet
В наличии8947

+БОМ RFQ

100% оригинальный & Новые

24 часа готовы к отправке

Гарантия 365 дней

RFQ и Получить больше скидок

Спецификации

Supplier	Infineon Technologies
Package	Tube
Series	HEXFET®
ProductStatus	Obsolete
FETType	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	150 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	27A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	10V
RdsOn(Max)@IdVgs	150mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	2210 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)	250W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType	Through Hole
SupplierDevicePackage	TO-220AB

Обзор

Description

IRF6218PBF is a Pb-free (PBF) N-channel enhancement-mode power MOSFET from Infineon/International Rectifier. It’s used as a high-speed switching device in power electronics—think switch-mode power supplies, DC-DC converters, motor drives, and other power-management tasks. The “PBF” suffix indicates lead-free packaging.
Key takeaway:
- It’s a discrete power MOSFET (N-channel) intended for switching and amplification in power circuits.
- Available in standard Pb-free power packages (e.g., TO-220/TO-252/D²PAK variants), depending on the exact reel/kit.
- Design values you should verify in the datasheet: Vds (drain‑to‑source voltage), Id (continuous drain current), Rds(on) (on-resistance), gate charge (Qg, Qgs, Qgd), and packaging.
- Use it when Vds and current requirements exceed what small-signal MOSFETs can handle; ensure Vds > peak bus voltage, Id margin, and acceptable conduction losses.
For precise electrical ratings and thermal data, consult the latest IRF6218PBF datasheet.

Features

IRF6218PBF is a Pb-free N-channel enhancement-mode power MOSFET. Key features:
- Vds: 62 V; Id: 18 A (continuous)
- Rds(on): ~28 mΩ (typ) at Vgs = 10 V; max ~40 mΩ
- Gate threshold: ~1.0–2.5 V
- Gate drive: requires ~10 V for low Rds(on); not guaranteed at logic-level voltages
- Avalanche-rated for inductive-load protection
- Fast switching with moderate gate charge
- Pb-free RoHS-compliant (PBF)
- Suitable for high-efficiency switching applications (DC-DC converters, motor drivers, load switches)
Note: exact Rds(on) and parasitics vary with temperature and lot; refer to the datasheet for precise values.

Package

IRF6218PBF is an N‑channel power MOSFET supplied in a TO‑220AB (TO‑220) through‑hole package; the "PBF" suffix denotes a Pb‑free (lead‑free) finish.

Pinout

Pin count: 3 leads (G, D, S) with the drain usually connected to the package tab.
Function: IRF6218PBF is a power N-channel enhancement-mode MOSFET used as a high-current switching device in power electronics (switching regulators, motor drivers, etc.).

Manufacturer

Manufacturer: Infineon Technologies AG (the IRF prefix originates from International Rectifier, which Infineon acquired).
What kind of company: Infineon is a global semiconductor manufacturer specializing in power semiconductor devices (MOSFETs, IGBTs, power ICs), microcontrollers and sensors for automotive, industrial, and consumer electronics, with a strong focus on power management and energy-efficient solutions.

Application

IRF6218PBF is an N-channel HEXFET power MOSFET suited for high-speed switching with low on-resistance. Common applications:
- Switching regulators and DC-DC converters (buck/boost/buck-boost)
- Motor drives (BLDC, DC motors) and motor control stages
- Solar/renewable power inverters and front-ends
- Automotive and industrial power electronics (DC-DC, UPS)
- High-side/low-side switches and PWM lighting drivers
Concise, versatile device for PWM switching in power electronics.

Equivalent

IRF6218PBF is a high‑voltage N‑channel MOSFET (Pb‑free). Equivalents depend on Vds, Id, Rds(on), and package. Please provide: Vds rating, continuous Id, Rds(on), package (e.g., TO-220, D²PAK), and temp rating. With those, I’ll give exact cross‑references from Infineon, ST, Vishay, Onsemi, etc.

Доставка

Методы доставки Мы

предлагать глобальные услуги доставки через DHL, FedEx, TNT, UPS или любой другой экспедитор по вашему выбору.

Ссылка на плату за доставку (DHL/FedEx):

DHL компанией: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 2-5 рабочих дней.

компании FedEx: Стоимость доставки варьируется от 25 до 40 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.

УПС: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.

ТНТ: Стоимость доставки варьируется от 25 до 65 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.

ЭМС: Стоимость доставки варьируется от $30-$50 (0,5 кг), с предполагаемым сроком доставки 7-15 рабочих дней.

Зарегистрированная воздушная почта: Стоимость доставки составляет 2-4 доллара США (0,1 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 5-20 рабочих дней.