Изображения являются только для ссылки
IPD78CN10N G
MOSFETs N-Ch 100V 13A DPAK-2 OptiMOS 2
- Производитель
- Мфр. Часть #IPD78CN10N G
- Пакет
- Лист данных IPD78CN10N G DataSheet
- В наличии16180
100% оригинальный & Новые
24 часа готовы к отправке
Гарантия 365 дней
RFQ и Получить больше скидок
Спецификации
| Packaging | MouseReel |
| Standard Pack Qty | 2500 |
Обзор
Description
Key specifications include a maximum VDS (drain-source voltage) of 80V and a continuous drain current capability of up to 78A. The device is packaged in a compact TO-220 format, facilitating efficient heat dissipation. Its fast switching speeds make it suitable for high-frequency applications, enhancing overall system performance.
The IPD78CN10N G is part of a broader family of MOSFETs that can be used in various electronic designs, promoting efficiency and reliability. Its robust characteristics make it a popular choice among engineers looking to optimize power conversion and management systems. Proper thermal management and gate drive considerations are essential to maximize its performance in practical applications.
Features
1. Voltage Rating: It typically has a drain-source breakdown voltage of around 100V.
2. Current Rating: It can handle continuous drain currents of up to 78A, making it suitable for high-current applications.
3. RDS(on): The on-resistance is relatively low, typically around 10 mΩ, which helps minimize power losses during operation.
4. Thermal Performance: The device features good thermal performance, allowing it to operate at higher temperatures without failure.
5. Gate Threshold Voltage (Vgs): The gate threshold voltage is designed for efficient switching, enhancing performance in power applications.
6. Package Type: It often comes in TO-220 or similar packages, facilitating easy heat dissipation.
These characteristics make the IPD78CN10N G ideal for applications in power supplies, motor drives, and automotive electronics.
Package
Pinout
1. Gate (G): Controls the MOSFET switching; applied voltage here turns the device on/off.
2. Drain (D): Connects to the load; current flows from drain to source when the MOSFET is on.
3. Source (S): Common terminal that connects to ground or negative supply in applications.
4. Body Diode: Internal structure that provides an alternative current path when the MOSFET is off.
The specific pin configuration may vary, so it's essential to refer to the datasheet for exact pin assignments and detailed electrical characteristics.
Manufacturer
Application
Equivalent
Доставка
Методы доставки Мы
предлагать глобальные услуги доставки через DHL, FedEx, TNT, UPS или любой другой экспедитор по вашему выбору.
Ссылка на плату за доставку (DHL/FedEx):
DHL компанией: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 2-5 рабочих дней.
компании FedEx: Стоимость доставки варьируется от 25 до 40 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
УПС: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
ТНТ: Стоимость доставки варьируется от 25 до 65 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
ЭМС: Стоимость доставки варьируется от $30-$50 (0,5 кг), с предполагаемым сроком доставки 7-15 рабочих дней.
Зарегистрированная воздушная почта: Стоимость доставки составляет 2-4 доллара США (0,1 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 5-20 рабочих дней.
Платежи
Payment Methods
Срок оплаты 100% предоплаченный.
В настоящее время мы принимаем только следующие способы оплаты:
1. PayPal
2. Кредитная/ дебетовая карта
3. Перевод банковских средств
Похожие
-
MX25L3233FM1I-08Q
Macronix
-
MX25V1635FZNI
Macronix
-
MX25V1635FZNQ03
Macronix
-
MX66U1G45GXDI00
Macronix
-
MX25V16066M1I02
Macronix
-
MX25L8035EM2I-10G
Macronix
-
MX25R6435FBDIL0
Macronix
-
MX25L25673GMI-08G
Macronix
-
MX25L2006EM1I-12G
Macronix
-
MX25V1635FM2I
Macronix
-
MX25L12835FZ2I-10..
Macronix
-
MX29F040CQI-70G
Macronix