Изображения являются только для ссылки
IDH04G65C6
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
- Производитель
- Мфр. Часть #IDH04G65C6
- Пакет
- Лист данных IDH04G65C6 DataSheet
- В наличии29438
100% оригинальный & Новые
24 часа готовы к отправке
Гарантия 365 дней
RFQ и Получить больше скидок
Спецификации
| Packaging | Tube |
Обзор
Description
Key characteristics include low on-resistance (R_DS(on)), which enhances efficiency by reducing power loss during operation, and a fast switching speed, ideal for applications requiring quick response times. The device is packaged in a TO-220 format, providing effective thermal management.
With its ability to handle high voltages and currents, the IDH04G65C6 is commonly utilized in automotive, industrial, and renewable energy systems, contributing to improved performance and reliability in power conversion tasks.
Features
1. Voltage Rating: It typically has a maximum drain-source voltage (V_DS) of 650V, making it suitable for high-voltage power applications.
2. Current Rating: It can handle a continuous drain current (I_D) of up to 4A, with higher pulsed current capabilities.
3. R_DS(on): The on-resistance is low, around 0.65Ω at a gate-source voltage (V_GS) of 10V, which enhances efficiency by reducing conduction losses.
4. Gate Threshold Voltage: The gate threshold voltage ranges from 2V to 4V, allowing for easier drive requirements.
5. Package: Available in TO-220 or similar packages, facilitating thermal management and ease of mounting.
6. Applications: Suitable for power supplies, motor drives, and other applications requiring efficient switching and high reliability.
Overall, the IDH04G65C6 is designed for efficiency and robustness in demanding electronic environments.
Package
Pinout
1. Gate (G): Controls the switching of the MOSFET.
2. Drain (D): The terminal through which the load current flows in the on-state.
3. Source (S): The terminal connected to the ground or negative voltage in the circuit.
The specific pinout and detailed functions can typically be found in the manufacturer's datasheet. This MOSFET is designed for high-voltage applications, with a maximum drain-source voltage of 650V and a continuous drain current rating of 4A, making it suitable for power management and switching applications.
Manufacturer
Application
Equivalent
Доставка
Методы доставки Мы
предлагать глобальные услуги доставки через DHL, FedEx, TNT, UPS или любой другой экспедитор по вашему выбору.
Ссылка на плату за доставку (DHL/FedEx):
DHL компанией: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 2-5 рабочих дней.
компании FedEx: Стоимость доставки варьируется от 25 до 40 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
УПС: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
ТНТ: Стоимость доставки варьируется от 25 до 65 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
ЭМС: Стоимость доставки варьируется от $30-$50 (0,5 кг), с предполагаемым сроком доставки 7-15 рабочих дней.
Зарегистрированная воздушная почта: Стоимость доставки составляет 2-4 доллара США (0,1 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 5-20 рабочих дней.
Платежи
Payment Methods
Срок оплаты 100% предоплаченный.
В настоящее время мы принимаем только следующие способы оплаты:
1. PayPal
2. Кредитная/ дебетовая карта
3. Перевод банковских средств
Похожие
-
MX25R8035FM1IL0
Macronix
-
MX25V1635FZNI
Macronix
-
MX25V1635FZNQ03
Macronix
-
MX25V4035FZUI
Macronix
-
MX25V2033FM1I
Macronix
-
MX25V16066M1I02
Macronix
-
MX25V16066M2I02
Macronix
-
MX25U25643GZNI00
Macronix
-
MX25R1635FZUIH0
Macronix
-
MX25V1635FM2I
Macronix
-
MX25U6435FM2I-10G
Macronix
-
MX25L25645GXDI-08..
Macronix