Изображения являются только для ссылки
FDS8884
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
- Производитель
- Мфр. Часть #FDS8884
- Пакет
- Лист данных FDS8884 DataSheet
- В наличии5158
100% оригинальный & Новые
24 часа готовы к отправке
Гарантия 365 дней
RFQ и Получить больше скидок
Спецификации
| Supplier | onsemi |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | PowerTrench® |
| ProductStatus | Active |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 30 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 8.5A (Ta) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 4.5V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 23mOhm @ 8.5A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 635 pF @ 15 V |
| PowerDissipation(Max) | 2.5W (Ta) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| SupplierDevicePackage | 8-SOIC |
Обзор
Description
Features
1. Low On-Resistance: It offers low RDS(on) values, which minimizes power loss and improves efficiency in switching applications.
2. High Speed: The device supports fast switching speeds, making it suitable for high-frequency operations.
3. Compact Package: Typically available in a small surface-mount package, allowing for space-efficient designs.
4. High Thermal Performance: Designed to handle higher thermal loads, ensuring reliability in various operating conditions.
5. Gate Threshold Voltage: Compatible with low-voltage drive signals, enhancing flexibility in circuit designs.
6. Integrated Protection: May include features like ESD protection, improving robustness against transient voltage spikes.
These attributes make the FDS8884 suitable for applications in power management, DC-DC converters, and motor drivers.
Package
Pinout
The pin configuration is as follows:
1. Gate 1: Controls the switching of the first N-channel MOSFET.
2. Source 1: The source terminal of the first N-channel MOSFET.
3. Drain 1: The drain terminal of the first N-channel MOSFET.
4. Gate 2: Controls the switching of the second N-channel MOSFET.
5. Source 2: The source terminal of the second N-channel MOSFET.
6. Drain 2: The drain terminal of the second N-channel MOSFET.
7. Drain 3: (Optional) Can be used for external connections.
8. Source 3: (Optional) Can be used for external connections.
These MOSFETs provide low on-resistance and fast switching capabilities, making them ideal for various power applications.
Manufacturer
Application
Equivalent
Доставка
Методы доставки Мы
предлагать глобальные услуги доставки через DHL, FedEx, TNT, UPS или любой другой экспедитор по вашему выбору.
Ссылка на плату за доставку (DHL/FedEx):
DHL компанией: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 2-5 рабочих дней.
компании FedEx: Стоимость доставки варьируется от 25 до 40 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
УПС: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
ТНТ: Стоимость доставки варьируется от 25 до 65 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
ЭМС: Стоимость доставки варьируется от $30-$50 (0,5 кг), с предполагаемым сроком доставки 7-15 рабочих дней.
Зарегистрированная воздушная почта: Стоимость доставки составляет 2-4 доллара США (0,1 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 5-20 рабочих дней.
Платежи
Payment Methods
Срок оплаты 100% предоплаченный.
В настоящее время мы принимаем только следующие способы оплаты:
1. PayPal
2. Кредитная/ дебетовая карта
3. Перевод банковских средств
Похожие
-
MX25V1635FZNI
Macronix
-
MX25V4035FZUI
Macronix
-
MX25V16066M2I02
Macronix
-
MX25L8035EM2I-10G
Macronix
-
MX25L25673GMI-10G
Macronix
-
MX29GL512FHXFI-11..
Macronix
-
MX25L6433FM2I-08G
Macronix
-
MX25U6435FM2I-10G
Macronix
-
MX25L12833FM2I-10..
Macronix
-
MX25L12833FZ2I-10..
Macronix
-
MX25U25645GXDI00
Macronix
-
MX25L12835FZ2I-10..
Macronix