Изображения являются только для ссылки
C3M0030090K
SICFET N-CH 900V 73A TO247-4
- Производитель
- Мфр. Часть #C3M0030090K
- Пакет
- Лист данных
- В наличии6353
100% оригинальный & Новые
24 часа готовы к отправке
Гарантия 365 дней
RFQ и Получить больше скидок
Спецификации
| Series | C3M™ |
| Part Status | Obsolete |
| Base Product Number | C3M0030090 |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 73A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 35A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 11mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74 nC @ 15 V |
| Vgs (Max) | +15V, -4V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1503 pF @ 600 V |
| Power Dissipation (Max) | 240W (Tc) |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Package | TO-247-4 |
| Packaging | Tube |
Обзор
Description
Features
1. Measurement Range: It offers a wide current sensing range, enabling accurate detection of small to large current values.
2. Isolation: Provides electrical isolation, enhancing safety in high-voltage applications.
3. Sensitivity: High sensitivity ensures precise readings, making it suitable for low-current applications.
4. Compact Design: Its small footprint allows for space-saving in PCB layouts.
5. Temperature Stability: Designed to maintain performance across a wide temperature range, ensuring reliability in diverse environments.
6. Low Power Consumption: Efficient in power usage, making it ideal for battery-powered devices.
7. Easy Integration: Compatible with standard microcontrollers and signal processing systems, facilitating straightforward implementation.
Overall, the C3M0030090K is ideal for applications requiring precise current measurement in compact and efficient designs.
Package
Pinout
1. Gate (G) - Pin for controlling the MOSFET's on/off state.
2. Drain (D) - Pin for connecting to the load or supply voltage.
3. Source (S) - Pin for connecting to the ground or reference voltage.
4. Body Diode (D) - Integrated body diode for current flow in reverse direction.
The device is designed for high efficiency and high-temperature applications, often used in power electronics, including converters and inverters. Its SiC technology allows for higher voltage, faster switching, and better thermal performance compared to traditional silicon MOSFETs.
Manufacturer
Application
Equivalent
Доставка
Методы доставки Мы
предлагать глобальные услуги доставки через DHL, FedEx, TNT, UPS или любой другой экспедитор по вашему выбору.
Ссылка на плату за доставку (DHL/FedEx):
DHL компанией: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 2-5 рабочих дней.
компании FedEx: Стоимость доставки варьируется от 25 до 40 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
УПС: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
ТНТ: Стоимость доставки варьируется от 25 до 65 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.
ЭМС: Стоимость доставки варьируется от $30-$50 (0,5 кг), с предполагаемым сроком доставки 7-15 рабочих дней.
Зарегистрированная воздушная почта: Стоимость доставки составляет 2-4 доллара США (0,1 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 5-20 рабочих дней.
Платежи
Payment Methods
Срок оплаты 100% предоплаченный.
В настоящее время мы принимаем только следующие способы оплаты:
1. PayPal
2. Кредитная/ дебетовая карта
3. Перевод банковских средств
Похожие
-
MX25R8035FM1IL0
Macronix
-
MX25L3233FM1I-08Q
Macronix
-
MX25V1635FZNI
Macronix
-
MX29F400CBTI-70G
Macronix
-
MX25V5126FM1I
Macronix
-
MX25R3235FZNIL0
Macronix
-
MX25L8035EM2I-10G
Macronix
-
MX29GL512FHXFI-11..
Macronix
-
MX25L12833FM2I-10..
Macronix
-
MX29LV640ETTI-70G
Macronix
-
MX25L1006EMI-10G
Macronix
-
MX25R4035FM1IL0
Macronix