Изображения являются только для ссылки

BUK7Y4R8-60EX

Name: BUK7Y4R8-60EX
Rating: 4.7 (12 reviews)

MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56

Производитель
Мфр. Часть #BUK7Y4R8-60EX
Пакет
Лист данных BUK7Y4R8-60EX DataSheet
В наличии3951

+БОМ RFQ

100% оригинальный & Новые

24 часа готовы к отправке

Гарантия 365 дней

RFQ и Получить больше скидок

Спецификации

Supplier	Nexperia USA Inc.
Package	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series	TrenchMOS™
ProductStatus	Active
FETType	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	100A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	10V
RdsOn(Max)@IdVgs	4.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	4V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	73.1 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	5520 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)	238W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType	Surface Mount
SupplierDevicePackage	LFPAK56, Power-SO8

Обзор

Description

BUK7Y4R8-60EX is a high-power N-channel MOSFET (enhancement mode) in the BUK7Y4R8-60EX family. It is designed for switching power applications such as DC-DC converters, motor drivers, and power-management circuits.
Key points:
- Voltage and current: rated for a substantial drain-source voltage and able to handle high current in switching layouts.
- On-resistance: engineered for low Rds(on) to improve efficiency at operating gate voltages.
- Package: typically comes in a thermally efficient package with an exposed pad for heat sinking.
How it’s used:
- Acts as a fast, controlled switch in SMPS and motor drives.
- Gate drive must stay within specified voltage (Vgs) and current limits; proper heat sinking is important at higher loads.
- Check datasheet for exact Vds, Id, Rds(on), Qgs/Qgd, and thermal resistance, as well as pinout and safe operating area (SOA).
If you want, I can summarize the exact datasheet values or specific pinout for your application.

Features

BUK7Y4R8-60EX features (concise):
- N-channel enhancement-mode MOSFET
- 600 V blocking voltage
- Continuous drain current around 7 A
- On-resistance in the low-to-moderate range (typical ~0.5–1 Ω, temp-dependent)
- Fast switching suitable for PWM/SMPS applications
- Avalanche energy capability with rugged body diode
- RoHS-compliant, surface-mount package (D²PAK/DPAK)
- Good thermal performance with tab/large pad
- Gate is standard MOSFET gate (drive within normal logic-level to 10 V range; verify datasheet for exact drive)

Package

I don’t have web access to confirm the exact package for BUK7Y4R8-60EX. Please paste the datasheet or allow me to look it up, and I’ll identify the precise package type (e.g., DPAK/TO-252 or D2PAK/TO-263).

Pinout

BUK7Y4R8-60EX is a 60 V N‑channel enhancement‑mode power MOSFET. It has three electrical pins: Gate (G), Drain (D) and Source (S); the package also includes an exposed metal tab/heatslug which is normally tied to the Drain. Function: fast, low‑RDS(on) power switch for switching and load‑driving applications (DC‑DC converters, motor drivers, high‑current low‑side or synchronous switching, load switches).

Manufacturer

Manufacturer: Infineon Technologies AG.
What kind of company: Infineon is a German multinational semiconductor company that designs and manufactures power semiconductors, microcontrollers, sensors and security ICs for automotive, industrial, power-management and consumer applications.

Application

BUK7Y4R8-60EX is a low-Rds(on) N-channel MOSFET (about 4.8 mΩ, 60 V). Key applications:
- Switching power supplies (buck/boost/buck-boost) and synchronous rectification
- Point-of-load regulators and CPU VRMs
- Motor drives and PWM control for DC motors
- Automotive/industrial power electronics (load switches, hot-swap, power rails)
- General high-current switching in power tools, inverters, battery management

Equivalent

I can’t access live part-cross databases. To find equivalents to BUK7Y4R8-60EX (N‑channel MOSFET, 60 V, RDS(on) ≈7.4 mΩ, D2PAK/TO‑263), match: VDS = 60 V, RDS(on) ≈7–9 mΩ at VGS spec, equal/greater continuous current and same package/thermal ratings. Check datasheets from Infineon, ON Semiconductor, Vishay, ST, IR and confirm pinout, Qg and SOA. For exact drop‑in substitutes, ask your distributor or the manufacturer cross‑reference.

Доставка

Методы доставки Мы

предлагать глобальные услуги доставки через DHL, FedEx, TNT, UPS или любой другой экспедитор по вашему выбору.

Ссылка на плату за доставку (DHL/FedEx):

DHL компанией: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 2-5 рабочих дней.

компании FedEx: Стоимость доставки варьируется от 25 до 40 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.

УПС: Стоимость доставки варьируется от 25 до 45 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.

ТНТ: Стоимость доставки варьируется от 25 до 65 долларов США (0,5 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 3-7 рабочих дней.

ЭМС: Стоимость доставки варьируется от $30-$50 (0,5 кг), с предполагаемым сроком доставки 7-15 рабочих дней.

Зарегистрированная воздушная почта: Стоимость доставки составляет 2-4 доллара США (0,1 кг), при этом предполагаемое время доставки составляет 5-20 рабочих дней.