Транзисторы - ИГБТ - Single
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
HGTG32N60E2
Harris Corporation
-
IXGH48N60A3D1
IXYS
-
HGTG20N50C1D
Harris Corporation
-
IXGH24N120C3
IXYS
-
IRG8P60N120KDPBF
International Rectif..
-
IKZA40N65RH5XKSA1
Infineon Technologie..
-
HGTH20N50C1
Harris Corporation
-
IXGH28N60B3D1
IXYS
-
IRG7PH50K10D-EPBF
International Rectif..
-
IKFW60N65ES5XKSA1
Infineon Technologie..
-
IRG7PH50K10DPBF
International Rectif..
-
IRG8P50N120KDPBF
International Rectif..
-
CT60AM-18F#G02
Renesas Electronics ..
-
IRG7PH50UPBF
International Rectif..
-
IRGP4266D-EPBF
International Rectif..
-
IKFW50N65EH5XKSA1
Infineon Technologie..
-
IKFW50N65ES5XKSA1
Infineon Technologie..
-
IRGPS40B120UPBF
International Rectif..
-
IRGP4690D-EPBF
International Rectif..
-
IRGP20B120UD-EP
International Rectif..