Транзисторы - ИГБТ - Single
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
IXXK110N65B4H1
IXYS
-
AIKQ100N60CTXKSA1
Infineon Technologie..
-
IXXH100N60B3
IXYS
-
APT45GP120B2DQ2G
Microchip Technology
-
APT50GF120LRG
Microchip Technology
-
APT33GF120B2RDQ2G
Microchip Technology
-
IXYH24N90C3D1
IXYS
-
APT40GR120B2D30
Microchip Technology
-
STGW75H65DFB2-4
STMicroelectronics
-
APT25GR120S
Microchip Technology
-
IXBF9N160G
IXYS
-
APT35GA90BD15
Microchip Technology
-
RGW50TK65DGVC11
Rohm Semiconductor
-
RGTV80TK65GVC11
Rohm Semiconductor
-
RGW50TS65DGC11
Rohm Semiconductor
-
RGTV80TS65GC11
Rohm Semiconductor
-
RGW50TK65GVC11
Rohm Semiconductor
-
RGW40TS65DGC11
Rohm Semiconductor
-
STGWA40HP65FB2
STMicroelectronics
-
FGAF40N60UFTU
onsemi