Транзисторы - ИГБТ - Single
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
RGC80TSX8RGC11
Rohm Semiconductor
-
IXGH48N60C3D1
IXYS
-
RGTVX6TS65DGC11
Rohm Semiconductor
-
IKW40N120T2FKSA1
Infineon Technologie..
-
IKW40T120FKSA1
Infineon Technologie..
-
IXXH30N60B3D1
IXYS
-
IXXH80N65B4
IXYS
-
IKFW75N65EH5XKSA1
Infineon Technologie..
-
IKW40N120CS6XKSA1
Infineon Technologie..
-
IXGH30N60C3D1
IXYS
-
RGTV00TK65DGC11
Rohm Semiconductor
-
IKW75N65EH5XKSA1
Infineon Technologie..
-
FGH60T65SQD-F155
onsemi
-
RGW00TK65GVC11
Rohm Semiconductor
-
RGW60TK65DGVC11
Rohm Semiconductor
-
FGH75T65SHD-F155
onsemi
-
IGW75N65H5XKSA1
Infineon Technologie..
-
FGH60T65SHD-F155
onsemi
-
IKW40N65F5FKSA1
Infineon Technologie..
-
IGW15N120H3FKSA1
Infineon Technologie..